en ru map

+7 (495) 545 07 08

Системы для выращивания кристаллов кремния и германия методом вытягивания (Чохральского)

Для производства кристаллов кремния и германия по методу Чохральского используется оборудование для выращивания кристаллов методом вытягивания. Оборудование этого типа отличается, главным образом, в аспектах, связанных с диаметром и длиной выращиваемых кристаллов, но, в общем случае, все системы имеют следующие особенности и возможности:

- Модульная конструкция системы позволяет использовать её без существенной адаптации для вытягивания кристаллов германия или кремния для полупроводников или солнечных элементов

- Возможность разработки базовых технологий для п/п пластин следующего поколения

- Печь с двумя стенками из высоколегированной стали с поверхностью, полированной до зеркального блеска, для облегчения очистки

- Простое обслуживание печи при её очистке и наладке техпроцесса

- Изолирующий клапан между печью и приемной камерой позволяет извлекать кристаллы, при этом расплав остаётся при температуре плавления

- Высокоточная регулировка температуры расплава в тигле

- Механизм перемещения кристалла с использованием штока или кабеля, устройства прямого привода с электродвигателями, не требующими техобслуживания, и высокоточной регулировкой скорости

- Управление всем процессом посредством ПЛК и ПО для сбора и обработки данных техпроцесса, включая графическое представление данных в режиме реального времени и сравнение с данными предыдущих техпроцессов

- Возможность добавления дополнительных компонентов, таких как магнит для стабилизации объёма расплава, устройство дозагрузки или устройство для контроля высоты объёма расплава

Различные этапы выращивания кристалла методом Чохральского


crystal_cz1_s.jpg
 
 1. Плавление
 
crystal_cz2_s.jpg
 
 2. Стабилизация и распределение температуры
 
crystal_cz3_s.jpg
 
 3. Разрастание затравочного кристалла
 
crystal_cz4_s.jpg
 
 4. Вытягивание оттяжки кристалла
 
crystal_cz5_s.jpg
 
 5. Формирование призатравочного цилиндра
 
crystal_cz6_s.jpg
 
 6. Формирование основного цилиндра кристалла