en ru map

+7 (495) 545 07 08

Печь для выращивания кристаллов карбида кремния SiCube

SiCube – печь для выращивания кристаллов карбида кремния. Система HTCVT/HTCVD специально сконструирована для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путём сублимации или термического разложения (пиролиза) исходных газов при высокой температуре. Наличие высоковакуумной системы позволяет в значительной мере удалить воду и кислород с поверхностей перед началом процесса. Конструкция системы позволяет использовать подложки (затравочные кристаллы) диаметром до 4 дюймов.


Strecke_SiCube.gif


Преимущества высокотемпературного химического парофазного осаждения (HTCVD):

  • высокая чистота карбида кремния
  • регулировка соотношения C/Si
  • легирование

Преимущества сублимации:


  • хорошо известная технология
  • удовлетворяет требованиям к подложкам для силовой электроники

Области применения

  • силовые преобразователи (PFC)
  • инверторы и преобразователи для гибридной технологии
  • преобразователи для гелиоэнергетики
  • Высокочастотная электроника
  • Оптоэлектроника

Технические характеристики

Камера реактора
Рабочее давление приблизительно 5-900 мбар
рабочая температура макс. 2600 °C
Источник питания
мощность макс. 80 кВт
частота 6-8 кГц