en ru map

+7 (495) 545 07 08

Печь для выращивания кристаллов карбида кремния baSiC-T нового поколения

Установка baSiC-T - это печь для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) методом PVT нового поколения. Система baSiC-T физического переноса из газовой фазы (PVT) компании PVA TePla специально сконструирована для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путём сублимации исходного порошка при высокой температуре. Система baSiC-T сконструирована по модульному принципу и позволяет использовать подложки (затравочные кристаллы) диаметром до 6 дюймов. Предназначена для области силовой электроники.

baSiC-T.jpg

Преимущества установки для выращивания кристаллов карбида кремния baSiC-T

  • высокий уровень автоматизации для массового производства
  • разработано ПО для управления производством на предприятии
  • небольшие габариты, компактное размещение
  • Исполнения для диаметров кристаллов 4 дюйма и 6 дюймов
  • Индуктивный нагрев катушками, конструкции которых проверены годами эксплуатации
  • Низкая потребляемая мощность (приблизительно 10 кВт при 2200 °C и стабильном регулировании)
  • Принцип мобильной загрузки и выгрузки для зоны нагрева
  • baSiC-T – печь для выращивания кристаллов карбида кремния – компактное размещение
Превосходная система управления со следующими возможностями
  • интуитивно понятное управление при высоком уровне автоматизации
  • расширенные возможности анализа тенденций для визуализации процесса
  • решение для редактирования набора команд в автономном режиме с большим количеством вариантов набора команд благодаря наборам параметров
  • регистрация данных в ходе длительного процесса, извлечение данных за длительный период
  • система управления и визуализация функционируют независимо (концепция безопасности)
  • контуры управления системой настраиваемые наборами параметров
Продуманная концепция надёжной безопасности
  • Соответствие требованиям ЕС
  • многоуровневая система безопасности, реализуемая различными компонентами системы, обеспечивает надёжную и безопасную эксплуатацию
  • измерение качественных характеристик и расширенная документация контроля качества
Тесное сотрудничество с заказчиками, организациями и поставщиками компонентов системы

Области применения печи роста кристаллов baSiC-T

  • Силовая электроника
  • силовые преобразователи (PFC)
  • инверторы и преобразователи для гибридной технологии
  • преобразователь для гелиоэнергетики
  • Высокочастотная электроника
  • Оптоэлектроника

Технические характеристики установки для выращивания кристаллов карбида кремния baSiC-T

Камера реактора
Рабочее давление приблизительно 1-900 мбар
рабочая температура макс. 2600 °C
Источник питания
мощность макс. 60 кВт
частота 6-12 кГц

Помимо этого оборудование компании PVA TePla для отрасли силовой электроники включает другую печь SiCube для производства кристаллов карбида кремния (методами PVT и HTCVD), систему выращивания кристаллов методом зонной плавки FZ35 и различные системы для выращивания кристаллов кремния сверхвысокой чистоты методом Чохральского, а также вакуумную печь для очистки графита и переработки после эпитаксии GaN. Для неразрушающего контроля качества компания PVA TePla предлагает различные передовые технологии измерения.