en ru map

+7 (495) 545 07 08

Печи для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC)

Компания PVA TePla предлагает оборудование для отрасли силовой электроники для производства кристаллов карбида кремния (SiC) (методами сублимационного роста (PVT) и высокотемпературного химического парофазного осаждения (HTCVD). Помимо этого для приложений силовой электроники используются система выращивания кристаллов методом зонной плавки FZ35 и различные установки для выращивания кристаллов кремния высокой степени чистоты методом Чохральского (CZ), а также вакуумная печь для очистки графита и переработки держателей подложек для выращивания кристаллов нитрида галлия. Для неразрушающего контроля качества компания PVA TePla предлагает различные передовые технологии измерения.